第３６回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
第３６回 ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
2022年11月16日(水)～17日(木) 慶應義塾大学 矢上キャンパス
2022年11月18日(金) オンライン
■ 優秀講演賞について
優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。
優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。
第１日目（１１月１６日）
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| １０：２０～１２：００ 座長 徳田規夫（金沢大） | |
| 101 | 3次元バルクCVD 成長による単結晶ダイヤモンドの結晶品質向上・・・2 （産総研）○嶋岡毅紘，山田英明，坪内信輝，杢野由明，茶谷原昭義 |
| 102 | 熱フィラメントCVD法により成長した高濃度リンドープダイヤモンド(111)薄膜の電気的特性・・・4 （九工大１，物材機構２）○片宗優貴１，和泉亮１，市川公善２，小泉聡２ |
| 103 | マイクロ波プラズマCVD法で作製した高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの特性・・・6 （イーディーピー）○古橋匡幸，藤森直治 |
| △104 | ダイヤモンド単結晶合成における酸素添加の電荷キャリア輸送特性に対する影響評価・・・8 （北大１，産総研関西２，産総研つくば３）○織田堅吾１，金子 H 純一１，茶谷原昭義２，渡邊幸志３ ，梅沢仁２，小早川友佑１ |
| 105 | マイクロ波液中プラズマ法による厚膜ダイヤモンドの高速合成・・・10 （東理大理工学研究科１，東理大スペースシステム創造センター２，旭ダイヤモンド工業３)○久保田侃昌１,２，上塚洋２,３，鈴木孝宗２，寺島千晶１,２ |
１２：００～１３：２０ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション２ |
| １３：２０～１４：４０ 座長 中村挙子（産総研） | |
| △106 | ダイヤモンド電極の表面活性化によるCO2電解還元の高性能化・・・12 （慶大）○杜京倫，フィオラニ アンドレア，稲垣泰一，大竹敦，村田道生，畑中美穂，栄長泰明 |
| △107 | ホウ素・窒素共ドープダイヤモンドの作製とCO2電解還元用電極への応用・・・14 （東理大１，慶大２）○三宅祐大１，近藤剛史１，大竹敦２，栄長泰明２，東條敏史１，湯浅真１ |
| 108 | ホウ素ドープダイヤモンド電極を用いた小型高速オゾン水濃度センサ・・・16 （サイオクス１，住友化学２，慶大３)○栗原香１，田村颯人２，赤井和美３，栄長泰明３ |
| 109 | ダイヤモンド電子舌センサとAI技術を活用した溶液情報の分類・・・18 （産総研）○大曲新矢，中原大哉，森田伸友，竹村謙信，岩崎渉 |
| １４：４０～１５：００ 休 憩 |
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オ－ラル特別セッション「量子デバイス」 |
| １５：００～１６：２０ 座長 栄長泰明 （慶大）、宮本良之（産総研） | |
| 110 | 【基調講演】ダイヤモンド中NV中心を用いた量子センシング・・・20 （慶大）○早瀬潤子 |
| 111 | 発表取消 |
| △112 | 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドに作製した、NVアンサンブルのスピン特性評価・・・24 （早大１，高崎量子応用研２，物材機構３，早大材研４）○淺野雄大１，上田真由１，早坂京祐１，金久京太郎１，蔭浦泰資１,３，谷井孝至１，小野田忍２，榎本心平４，河野省三４，川原田洋１,４ |
| １６：２０～１６：４０ 休 憩 |
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| １６：４０～１８：００ 座長 栄長泰明 （慶大）、宮本良之（産総研） | |
| 113 | NV-13C形成に向けたL-アルギニンイオンビームの開発・・・26 （量研１，群馬大２，物材機構３）○小菅臨１,２，小野田忍１，山田圭介１ ，木村晃介１,２，馬場智也１,２，加田渉１,２，寺地徳之３，大島武１ |
| △114 | NV量子センサ高感度化のためのtert-butylphosphineを用いたn型ダイヤモンド合成・・・28 （京大化研１，産総研２，金沢大３，京大CSRN４）○川瀬凜久１，川島宏幸１,２，加藤宙光２，徳田規夫３，山崎聡３，小倉政彦２，牧野俊晴２，水落憲和１,４ |
| △115 | NV－センターの磁気双極子相互作用強度の決定・・・30 （物材機構１，量研２）○真栄力１，増山雄太２，宮川仁１，阿部浩之２，石井秀弥２，佐伯誠一２，小野田忍２，谷口尚１，大島武２，寺地徳之１ |
| △116 | ダイヤモンド量子計測を用いた細胞解析法の開発 ＊発表取消 （量研量子生命科学研）○石綿整，神長輝一，五十嵐龍治 |
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第２日目（１１月１７日）
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| １０：２０～１２：００ 座長 牧野俊晴（産総研）、寺地徳之（物材機構） | |
| △201 | C-Si-O側壁チャネルによる初のノーマリーオフ動作縦型ダイヤモンドMOSFET・・・36 （早大１，早大材研２）○成田憲人１，太田康介１，付裕１，若林千幸１，平岩篤１，川原田洋１,２ |
| △202 | ダイヤモンドpip構造のスナップバック現象・・・38 （九工大生命体工学研究科）○松本有吾，後藤成雅，渡邉晃彦 |
| △203 | エアブリッジマルチフィンガー構造を有するダイヤモンドMOSFETsによるゲート幅拡大時の高周波特性劣化の大幅な抑制・・・40 （早大１，早大材研２）○長幸宏１，荒井雅一１，高橋輝１，浅井風雅１，鈴木優紀子１，平岩篤１，川原田洋１,２ |
| △204 | ダイヤモンド横型 PIN ダイオードの NEA 表面からの電子放出・・・42 （中大理工学研究科１，産総研２）○山川翔也１,２，加藤宙光２，小倉政彦２，加藤有香子２，牧野俊晴２，塚本涼太１,２，竹内大輔１,２，庄司一郎１,２ |
| △205 | 近接効果型の超伝導ダイヤモンドFET実現に向けた極低温(1.6 K)動作検証・・・44 （早大理工１，産総研２，物材機構３，早大材研４）○竹内雅治１，若林千幸１，高橋泰裕１，太田康介１，蔭浦泰資１,２，高野義彦３，立木実３，大井修一３，有沢修一３，川原田洋１,４ |
| １２：００～１３：２０ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション４ |
| １３：２０～１４：４０ 座長 山田英明（産総研） | |
| 206 | 圧力負荷による非晶質炭素薄膜への導電性付与における高分子基板依存性評価・・・46 （東京電機大１，シンクロトロン光研２）○ビンマドサニ ムハンマドアズミアリフ１，中川颯太１，山崎盛夢１，杉原輔扇１，小畑修二１，平栗健二１，大越康晴１，Sarayut Tunmee２ |
| △207 | 爆轟法ナノダイヤモンド中のゲルマニウム-空孔中心を用いた温度センシング・・・48 （京大１，ダイセル２）○藤原正規１，付海寧１，大木出１，劉明２，鶴井明彦２，吉川太朗２，西川正浩２，水落憲和１ |
| 208 | Bイオン注入IIa型ダイヤモンドの活性化アニール時間の最適化・・・50 （神大）○関裕平，倉島凛太郎， 星野靖 |
| 209 | 大電流プローブを用いた高分解能EBSD法によるモザイク・ダイヤモンド基板とHFCVD層の結晶性評価・・・52 （産総研１，物財機構２）○田中孝治１，高野美和子２，大曲新矢１，立木実２，山田英明１ |
| １４：４０～１５：００ 休 憩 |
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オ－ラルセッション５ |
| １５：００～１５：４０ 座長 山田英明（産総研） | |
| 210 | n型c-BNエピタキシャル薄膜のキャリア散乱機構・・・54 （NTT物性科学基礎研）○平間一行，谷保芳孝，山本秀樹，熊倉一英 |
| 211 | 生体計測応用に向けた炭化ケイ素ナノ粒子の高機能化・・・56 （阪大１，量研２）○外間進悟１，阿部浩之２，大島武２，原田慶恵１ |
| １５：４０～１６：００ 休 憩 |
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特別講演 |
| １６：００～１７：００ 座長 平田敦（東工大） |
| 「ワイドギャップ材料・デバイスを追って」・・・58 関西学院大学工学部 教授 鹿田真一 氏 |
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第３日目（１１月１８日）
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| １３：００～１４：００ | |
| P1-01 | 誘電泳動集積を用いて作製した両極性CNT-FETガスセンサの電子伝導領域におけるNO2高速応答・・・62 （九大１，名大２）○中原正太１，八木凱人１，大町遼２，稲葉優文１ ，中野道彦１，末廣純也１ |
| P1-02 | オゾン水生成用ダイヤモンド電極の高品質化・・・64 （サイオクス）○西川直宏，守田俊章，栗原香 |
| P1-03 | 化学気相成長法を用いたヘテロエピタキシャルイリジウムの作製と評価・・・66 (青学大）○中井太一，木村豊，澤邊厚仁 |
| P1-04 | グラフェン形成に及ぼす固体炭素源C60薄膜とNi触媒の膜厚及び熱処理条件の影響・・・68 （東海大院工学研究科１，東海大工２，産総研３）○菅原一真１，赤羽裕矢２，山田貴壽３，葛巻徹１,２ |
| P1-05 | 偏光ラマン分光によるダイヤモンドの転位評価・・・70 （関学大）○竹内莉莉花，安岡幹貴，石井万里野，鹿田真一 |
| P1-06 | 高周波・広帯域用ScAlN/ダイヤモンドSAWデバイス・・・72 （関学大１，産総研九州２）畑下昂平１，土屋俊貴１，岡崎雅哉１，中野真梨１，アングライニ アユ スリ２，平田研二２，大曲新矢２，上原雅人２，山田浩志２，秋山守人２，○鹿田真一１ |
| P1-07 | 膜質の異なるDLC膜のアルカリ溶液に対する耐食性・・・74 （東京電機大１，ナノテック２）○海老原匠１，平塚傑工２，平栗健二１ |
| P1-08 | 選択成長マスクを用いたシリコン基板上単結晶ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製と評価・・・76 （電通大）○有路颯樹，吉田あかり，木川啓太，根本優輝，一色秀夫 |
| P1-09 | RFプラズマCVD法により成膜した窒素含有DLCの水素発生反応の抑制効果・・・78 （東京電機大）○長谷部伸一，松崎充晃，長谷川和，山口朝輝，渡辺千也，向山義治，平栗健二，大越康晴 |
| P1-10 | 光学定数に基づいて分類したDLC膜の抗菌性・・・80 （東京電機大１，慈恵医大２，ナノテック３）○有村景太１，金杉和弥１，大越康晴１ ，馬目佳信２，平塚傑工３，平栗健二１ |
| P1-11 | 単結晶ダイヤモンドの反応摩耗の評価・・・82 （日工大院１，物材機構２，日工大３，住友電工４）○樋口優斗１，神田久生２，福長脩３，角谷均４，竹内貞雄３ |
| P1-12 | ボロンドープ多層構造膜の合成・・・84 日工大院１，物材機構２，日工大３）○岡部直輝１，江川流星１，神田久生２，福長脩３，竹内貞雄３ |
| P1-13 | Pt-Pd修飾ダイヤモンド電極を用いたギ酸燃料電池の特性評価・・・86 （慶大１，パジャジャラン大２）○風間一穂１，イルハム２，栄長泰明１ |
１４：００～１４：３０ 休 憩 |
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ポスターセッション２ |
| １４：３０～１５：３０ | |
| P2-01 | 表面活性化接合法を用いて作製したSi/ダイヤモンドヘテロ接合の電気特性・・・88 （大阪市立大１，産総研２，大阪公立大３）○上東洋太１，大曲新矢２，梅沢仁２，山田英明２，梁剣波１,３，重川直輝１,３ |
| P2-02 | 多結晶ダイヤモンドフレークの作製と電界整列挙動・・・90 （九大１，産総研２）○清家清弥１，陳映晨１，大曲新矢２，稲葉優文１，中野道彦１，末廣純也１ |
| P2-03 | 多結晶ダイヤモンド放射線検出器のキャリア輸送特性評価・・・92 （静岡大１，ANSeeN２，産総研３）○増澤智昭１，三宅拓２，中川央也１，中野貴之１，都木克之２，青木徹１,２，三村秀典１,２，山田貴壽３ |
| P2-04 | C6H6/N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDを用いた高窒素含有a-CNx:H薄膜の形成・・・94 （長岡技科大物質材料工学）○青山裕樹，伊藤治彦 |
| P2-05 | 低侵襲医療機器に向けたフッ素含有DLC膜の評価・・・96 （東京電機大１，ナミキ・メディカルインストゥルメンツ２，ナノテック３）○中村優翔１，並木和茂２，平塚傑工３，平栗健二１ |
| P2-06 | ラマン分光によるダイヤモンドの転位マッピング・・・98 （関学大）○安岡幹貴，石井万里野，竹内茉莉花，鹿田真一 |
| P2-07 | ダイヤモンド状炭素薄膜による細胞パターニングデバイスの開発・・・100 （東京電機大１，理研２）○北洞涼雅１，笠松謙一１，福原武志２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-08 | ダイヤモンド電極を用いた緑内障点眼薬ブリモニジンの電気化学測定・・・102 （慶大理工１，東大医２）○小川梨紗１，緒方元気１，山岸麗子２，本庄恵２，相原一２，栄長泰明１ |
| P2-09 | ダイヤモンドプラズマエッチングの結晶方位依存性評価・・・104 （奈良先端大１，近畿大２）○吉井大陸１，藤井茉美２，上沼睦典１， 浦岡行治１ |
| P2-10 | 多結晶ダイヤモンド摩耗特性の評価・・・106 （日工大院１，物材機構２，日工大３，住友電工４）○宋翰聞１，神田久生２，福長脩３，角谷均４，竹内貞雄３ |
| P2-11 | スプレーコート法を用いた塗布型ダイヤモンド電極の開発と硫酸電解への応用・・・108 （東京理科大１，旭化成２）○森友希１，近藤剛史１，岡田祐二２， 東條敏史１，湯浅真１ |
| P2-12 | トリイソプロピルシラン、Ar、Ｈ2系を用いたダイヤモンド・ナノパウダーの化学気相合成における圧力依存性・・・110 （電通大）○森田豪，十河圭，有路颯樹，塚本貴広，一色秀夫 |
| P2-13 | Mnドープダイヤモンド（111）薄膜のCVD成長メカニズム・・・112 （NTT物性科学基礎研）○河野慎，平間一行，谷保芳孝，熊倉一英 |
１５：３０～１６：００ 休 憩 |
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ポスターセッション３ |
| １６：００～１７：００ | |
| P3-01 | 稜線伝導構造による単結晶ダイヤモンドジョセフソン接合の微細化とSQUID動作・・・114 （早大１，産総研２，物材機構３，早大材研４）○橋本裕太郎１，若林千幸１，高橋泰裕１，蔭浦泰資１,２，高野義彦３，立木実３，大井修一３，有沢俊一３，川原田洋１,４ |
| P3-02 | 集束イオンビームによるニードル状単結晶ダイヤモンドの作製と評価・・・116 （青学大）○我妻佑飛，木村豊，澤邊厚仁 |
| P3-03 | ダイヤモンドエピタキシャル薄膜の転位伝搬解析・・・118 (関学大）○藤井勇気，鹿田真一 |
| P3-04 | C6H14/N2混合気体のマイクロ波プラズマCVDによる高窒素含有a-CNx:H薄膜の作製と構造解析・・・120 （長岡技科大物質材料工学）○小林泰賀，伊藤治彦 |
| P3-05 | 光学的分類法によって分類したDLC膜の膜厚に対する細胞増殖性・・・122 （東京電機大１，ナノテック２，慈恵医大３）○江口広晃１，金杉和弥１，平塚傑工２，馬目佳信３，大越康晴１，平栗健二１ |
| P3-06 | 発表取消 |
| P3-07 | ｎ型を起点としたプロセスで作製したダイヤモンドpinダイオードの特性評価・・・124 （九工大生命体工学研究科）○後藤成雅，渡邉晃彦 |
| P3-08 | MMSiを用いた配向核発生条件の最適化・・・126 （電通大）○木川啓太，有路颯樹，森田豪，吉田あかり，根本優輝，一色秀夫 |
| P3-09 | 多結晶ダイヤモンドのヘルツ破壊強度・・・128 （日工大院１，物材機構２，日工大３）○佐藤勇斗１，神田久生２，福長脩３，竹内貞雄３ |
| P3-10 | ヘテロエピダイヤモンド基板上へのホウ素ドープ薄膜の作成と電気特性評価・・・130 （産総研１，九大２）○笹栗優１,２，蔭浦泰資１，Phongsaphak Sittimart２，Valappil Mylo Sreenath２，吉武剛２，大曲新矢１ |
| P3-11 | 低周波プラズマCVD法により成膜した窒素含有 DLC電極の酸素還元活性・・・132 （東京電機大）○松崎充晃，長谷部伸一，長谷川和，山口朝輝，渡辺千也，向山義治，平栗健二，大越康晴 |
| P3-12 | Pt担持導電性ダイヤモンドナノ粒子の作製とPEFCカソード触媒への応用・・・134 （東理大１，石福金属興業２）○佐藤舞１，近藤剛史１，石田貴信２，東條敏史１，湯浅真１ |
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