第３７回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム
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2023年11月14日(火)～16日(木) 東海大学 湘南キャンパス
第１日目（１１月１４日）
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| １０：２０～１２：００ 座長 大曲新矢（産総研） | |
| 101 | 熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド（111）成長 （金沢大）○市川公善，田口稜真，小林和樹，松本翼，林寛，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫 |
| 102 | マイクロ波プラズマCVD法によるバルク単結晶ダイヤモンド成長と直交面形成による結晶品質向上 （産総研）○嶋岡毅紘，山田英明，坪内信輝，茶谷原昭義，杢野由明 |
| 103 | イリジウム単結晶基板を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長 （青学大１，長岡技科大２）○増田頼葵１，會田英雄２，澤邊厚仁１ |
| 104 | 有機金属化学気相成長法（ MOCVD ）法を用いたヘテロエピタキシャルイリジウム（ Ir ）の作製におけるO2濃度の影響 （青学大）○中井太一，澤邊厚仁 |
| △105 | リン添加による多結晶CVDダイヤモンド膜の平滑性向上 （九州工大）○片宗優貴，松本拓万，山口一色，和泉亮 |
１２：００～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション２ |
| １３：００～１４：４０ 座長 寺地徳之（物材機構）、宮本良之（産総研） | |
| △106 | 圧力によるCVDダイヤモンドの不純物取り込み制御とNV中心コヒーレンス時間の改善 （京大化研１，産総研２，金沢大３，京大CSRN４）○川瀬凛久１，川島宏幸１，加藤宙光２，徳田規夫３，山崎聡３，小倉政彦２，牧野俊晴２，水落憲和１,４ |
| △107 | NVセンターを利用した水素終端ダイヤモンドにおける表面トランスファードーピング機構の解析 （物材機構１，産総研２，量研機構高崎３）○蔭浦泰資１,２，笹間陽介１，山田圭介３，木村晃介３，小野田忍３，山口尚秀１ |
| 108 | 単一レーザー照射後のダイヤモンド内空孔拡散とNV中心生成のシミュレーション （産総研）○宮本良之，加藤宙光，牧野俊晴 |
| 109 | 単空孔形成によるNVセンターの荷電状態変化 （物材機構１，量研機構２）○眞榮力１，阿部浩之２，大島武２，寺地徳之１ |
| △110 | 量子もつれNVセンターを用いた量子磁場センシング （群馬大１，量研機構２，横浜国大QIC３，物材機構４，筑波大５）〇木村晃介１,２，小野田忍２,３，加田渉１，寺地徳之３,4，磯谷順一５，馬場智也１,２，後藤政哉１,２，花泉修１，大島武２ |
| １４：４０～１５：００ 休 憩 |
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ポスターセッション１ |
| １５：００～１６：３０ | |
| P1-01 | ナノダイヤモンド粒子の誘電泳動集積の蛍光観察 （九州大）○浅野尚紀，稲葉優文，中野道彦，末廣純也 |
| P1-02 | 電界整列ダイヤモンド粒子をフィラーに用いた意図的熱伝導率分布を有する伝熱シートの作製 （九州大）○市来宗一郎，清家清弥，稲葉優文，中野道彦，末廣純也 |
| P1-03 | 研磨表面のラマン分光による評価 （関学大１，熊本大２）石井万里野１，安岡幹貴１，大谷昇１，笠村啓司２，久保田章亀２，○鹿田真一１ |
| P1-04 | ダイヤモンドFETの歩留まりの解析 （北大１，産総研２，大熊ダイヤモンドデバイス３）○桝村匡史１，金子純一１，梅沢仁２，奥野朝暘１，川島宏幸２，牧野俊晴２，小倉政彦２，高橋正樹１，伊藤洋輔３，庄子隼斗３，星川尚久３ |
| P1-05 | Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証 （金沢大院自然科研１，金沢大ナノマテリアル研２）○加納翼１，佐藤解１，林寛１,２，市川公善２，吉川太朗２，猪熊孝夫１，山崎聡２，徳田規夫１,２，松本翼１,２ |
| P1-06 | チャンバーフレーム法で合成したダイヤモンドへのNVセンターの作製 （早大理工１，日工大２，早大材研３）〇阿部和実１，上田真由１，浅野雄大１，谷井孝至１，佐藤勇斗２，竹内貞雄２，川原田洋１,３ |
| P1-07 | ヘテロエピタキシャル基板上に作製した1mmΦ大型ダイヤモンドSBDの特性と耐放射線性評価 （産総研１，九州大２，九州シンクロトロン３）○笹栗優１,２，Phongsaphak Sittimart２，石地耕太朗３，蔭浦泰資１，吉武剛２，大曲新矢１ |
| P1-08 | Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの結晶性とSiV発光特性の評価 （電通大）○山本翔太，塚本貴広，一色秀夫 |
| P1-09 | 大気中でのGaN/diamond接合技術 （東京理科大１，産総研２）〇大北称１，松前貴司２，倉島優一２，高木秀樹２，早瀬仁則１ |
| P1-10 | 大気圧プラズマによるダイヤモンド粒子の親水化 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇金井稜芽１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P1-11 | 光表面化学修飾を用いたフッ素フリー炭化水素系撥水コーティング （産総研）○中村挙子 |
| P1-12 | ダイヤモンド電極を用いた高収量過酸化水素生成 （慶大１，バジャジャラン大２）〇巽友輔１，フィオラニ アンドレア１，イルハム２，栄長泰明１ |
| P1-13 | ポータブル型ダイヤモンド電子舌センサの開発と歩留まり評価 （産総研）○大曲新矢，蔭浦泰資，森田伸友，竹村謙信，岩崎渉 |
| P1-14 | ダイヤモンド電子舌センサを用いた機械学習による赤ワインの分類 （佐賀大１，産総研センシング２）〇有田涼二１,２，森田伸友２，上田俊１，大曲新矢２ |
| P1-15 | SiNx上のダイヤモンド成長とSiV発光センターの評価 （電通大）○吉田あかり，木川啓太，山崎翔平，一色秀夫 |
| P1-16 | 熱CVD法によるCNT合成における二層触媒金属の組織解析 （東海大院工学研究科）○井出岳，菊地詩音，葛巻徹 |
| P1-17 | AlN基板上でのCNT垂直配向膜の合成と構造評価 （東海大院工学研究科）○菊地詩音，井出岳，葛巻徹 |
| P1-18 | 異なる紡績条件で作製したCNT糸の機械的性質と熱処理効果の検討 （東海大院工学研究科１，東海大工２）○岡田環１，影島誠２，長谷川真之輔２，葛巻徹１,２ |
| P1-19 | 多結晶ダイヤモンド膜の破壊強度および摩耗特性 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇佐藤勇斗１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P1-20 | 超硬合金にコーティングしたCVDダイヤモンド膜の応力緩和 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇江川流星１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P1-21 | 気相合成多結晶ダイヤモンド膜の反応摩耗特性の評価 （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇宋翰聞１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P1-22 | 単結晶ダイヤモンドの反応摩耗の評価（その2） （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇樋口優斗１，日比涼太１，宋翰聞１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
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第２日目（１１月１５日）
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| １０：４０～１２：００ 座長 梅沢 仁（産総研） | |
| 201 | TBPを用いた（111）面リンドープn型ダイヤモンド膜のホール移動度の向上 （京大化研１，産総研２，金沢大３，京大CSRN４）○川島宏幸１，川瀬凛久１，加藤宙光２，徳田規夫３，山崎聡３，小倉政彦２，牧野俊晴２，森岡直也１,４，水落憲和１,４ |
| △202 | 最大ドレイン電流密度:200 mA/mmを超えるSi-MBD法を用いたC-Si-O側壁チャネルによるノーマリーオフ縦型ダイヤモンドMOSFETの開発 （早大理工１，Power Diamond Systems２，早大各務記念材技研３）○山本稜将１，成田憲人１，太田康介１,２，付裕１，若林千幸１，平岩篤１，藤嶌辰也２，川原田洋１,２,３ |
| 203 | リンドープn型ダイヤモンドを用いたnチャネルMOSFETの作製 （物材機構）○小泉 聡，廖梅勇 |
| 204 | 自己整合ゲート電極を有する水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ （物材機構１，筑波大数理２）○笹間陽介１，渡邊賢司１，谷口尚１，山口尚秀１,２ |
| １２：００～１３：００ 昼 休 み |
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オ－ラルセッション４ |
| １３：００～１４：２０ 座長 嶋岡毅紘（産総研） | |
| 205 | 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFETによる計装用電子回路の開発 （大熊ダイヤモンドデバイス１，技術士事務所TM RAMS２，北大３）○伊藤洋輔１，川島宏幸１，前川立行２，金子純一１, ３，梅沢仁１ |
| △206 | 高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド（100）p+-i-n+ダイオードの実証 （金沢大自然科研１，金沢大ナノマテリアル研２）○松島優希１，村光希哉１，松本翼１,２，市川公善２，林寛１,２，山崎聡２，猪熊孝夫１，徳田規夫１,２ |
| 207 | オンチップダイヤモンドMEMS磁気トランスデューサ （物材機構１，東北大２）○廖梅勇１，張子龍１， 陳果１，小出康夫１，戸田雅也２，小泉聡１ |
| △208 | スピンデバイス応用に向けた強磁性金属／p型ダイヤモンドショットキー接触の実現 （NTT物性科学基礎研）○河野慎，クーニャ カルロス，平間一行，熊倉一英，谷保芳孝 |
| １４：２０～１４：４０ 休 憩 |
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ポスターセッション２ |
| １４：４０～１６：１０ | |
| P2-01 | 放射線検出器のためのホウ素添加／無添加ダイヤモンド積層構造の評価 （静岡大１，ANSeeN２，産総研３）○増澤智昭１，三宅拓２，中川央也１，中野貴之１，都木克之１,２，青木徹１,２，三村秀典１,２，山田貴壽３ |
| P2-02 | 集束イオンビーム加工を用いた単結晶ダイヤモンドの作製と評価 （青学大）○我妻佑飛，澤邊厚仁 |
| P2-03 | マイクロ波プラズマの診断に基づく単結晶ダイヤモンド結晶成長の高精度制御 （産総研）○新田魁洲，嶋岡毅紘，山田英明 |
| P2-04 | 尖端放電型プラズマCVD法を用いたダイヤモンド成長におけるCO２添加の影響評価 （産総研１，九大２）〇桂健斗１,２，笹栗優１,２，大曲新矢１，吉武剛２，蔭浦泰資１ |
| P2-05 | Si基板上における集積デバイス用選択成長ダイヤモンドの作製と評価 （電通大）○木川啓太，上原陽空，一色秀夫 |
| P2-06 | ホウ酸トリメチルを用いたボロンドープナノダイヤモンドパウダーの化学気相合成 （電通大）○十河圭，塚本貴広，一色秀夫 |
| P2-07 | Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の作製と評価 （電通大）○山崎翔平，萩原大智，塚本貴広，一色秀夫 |
| P2-08 | 荷電粒子検出器への応用を目的としたダイヤモンドピクセルセンサーの開発 （高エネ加速器研１，産総研２）〇岸下徹一１，田内一弥１，西口創１，田中真伸１，梅沢仁２，川島宏幸２ |
| P2-09 | ボロンドープダイヤモンド膜の合成条件によるボロン濃度の違い （日工大院１，物材機構２，日工大３）〇岡部直輝１，宋翰聞１，神田久生２，福長脩３，角谷均３，竹内貞雄３ |
| P2-10 | ラマン分光による転位位置の正確な評価 （関学大１，物材機構２）安岡幹貴１，〇竹内茉莉花１，石井万里野１，大谷昇１，寺地徳之２，鹿田真一１ |
| P2-11 | 低周波Yパラメータ測定によるダイヤモンド擬似縦型SBDの欠陥準位評価 （産総研１，佐賀大２）〇西田大生１,２，蔭浦泰資１，大曲新矢１ |
| P2-12 | 9Beイオン注入と加熱処理ダイヤモンドからのカソードルミネッセンス （産総研１，理研仁科センター２）〇渡邊幸志１,２，三宅泰斗２，奥野広樹２ |
| P2-13 | Ir/sapphire 基板上ヘテロエピタキシャル成長（001）面ダイヤモンド膜の結晶品質評価 （阪大１，Orbray２）〇望月梧生１，毎田修１，金聖祐２，加藤学２，小山浩司２，アン ジェフリ２，市川修平１，小島一信１ |
| P2-14 | カリウム添加ナノグラフェンを中間層としたグラフェンの残留電荷抑制 （産総研１，静岡大２）〇沖川侑揮１，増澤智昭２，山田貴壽１ |
| P2-15 | 核種変換によるLiドープダイヤモンドの製作 （理研仁科ｾﾝﾀｰ１，産総研２）〇三宅泰斗１，渡邊幸志１,２，奥野広樹１ |
| P2-16 | 水素化アモルファス炭素薄膜のパターン成膜による細胞接着性制御 （東京電機大１，春日電機２）〇清水敬行１，北洞涼雅１，宮城恒成１，鈴木輝夫２，田村豊２，小木曽智２，杉村智２，松浦慶２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-17 | FCVA法によるta-C膜の三次元コーティング技術の開発 （（鳥取大１，東工大２）〇為野悠人１，平田祐樹２，石川功１，赤坂大樹２，大竹尚登２，松岡広成１ |
| P2-18 | 圧力負荷に対する非晶質炭素薄膜の導電性変化におけるガス種依存性評価 （東京電機大）〇中川颯太，杉原輔扇，小野澤博文，五十嵐唯斗，小畑修二，平栗健二，大越康晴 |
| P2-19 | アモルファル炭素薄膜の赤血球吸着性評価 （東京電機大１，トッケン２，堀場テクノサービス３，茨城大学４）〇笠松謙一１，北洞涼雅１，平塚傑工２，馬目佳信１，和才容子３，尾関和秀４，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-20 | 機械学習を用いたプラズマ発光色によるDLCの細胞接着性判別 （東京電機大１，春日電機２，神大３）〇當間宗一朗１，尾高友輔１，中村聡３，小松隆３，鈴木輝夫２，田村豊２，小木曽智２，杉村智２，松浦慶２，平栗健二１，大越康晴１ |
| P2-21 | 圧力負荷における非晶質炭素膜の基板依存性及び膜構造評価 （東京電機大院１，CROSS中性子科学センター２）〇高田歩１，平栗健二１，小畑修二１，宮田登２，大越康晴１ |
１６：１０～１６：２０ 休 憩 |
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特別講演 |
| １６：２０～１７：２０ 座長 平田敦（東工大） |
| 「ヘテロエピタキシャルダイヤモンド研究のまとめ」 青山学院大学理工学部 教授 澤邊 厚仁 氏 |
学術交流会 |
| 東海大学 湘南キャンパス １９号館１階カフェラウンジ １７：３０～１９：３０ |
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第３日目（１１月１６日） |
オ－ラルセッション５ |
| １０：２０～１２：００ 座長 市川公善（金沢大） | |
| 301 | 偏光顕微鏡、共焦点ラマン分光法、高角度分解能EBSDを組み合わせた単結晶ダイヤモンド中の転位束の解析 （産総研）○田中孝治，杢野由明，梅沢仁，嶋岡毅紘，山田英明 |
| 302 | 真空紫外光援用研磨がエピ薄膜特性に及ぼす影響 （関学大１，熊本大２，物材機構３）稲田力１，外山正悟１，石井万里野１，菅本藍１，青野柊弥１，安岡幹貴１，竹内茉莉花１，大谷昇１，笠村啓司２，久保田章亀２，寺地徳之３，○鹿田真一１ |
| △303 | ダイヤモンドフィラーを電界整列した伝熱シートに対する重力の影響 （九州大）○稲葉優文，清家清弥，市来宗一郎，中野道彦，末廣純也 |
| △304 | 電界整列多結晶ダイヤモンドフレークの伝熱シートフィラーへの応用 （九州大１，産総研２）○清家清弥１，市来宗一郎１，大曲新矢２，稲葉優文１，中野道彦１，末廣純也１ |
| △305 | ホウ素ドープダイヤモンド電極を有するダイヤモンドアンビルセルの開発 （物材機構１，筑波大２，愛媛大GRC３）○松本凌１，山根和樹１,２，寺嶋健成１，新名亨３，入舩徹男３，高野義彦１,２ |
■ 優秀講演賞について優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。 |
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