第３４回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム

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日　時：2021年1月12日(火)～14日(木)

オンライン開催

第1日（１月１２日）
オーラルセッション１

	９：２０～１０：２０　座長　寺地徳之（物材機構）
△ 101	熱フィラメントCVD法によるリンドープn型ダイヤモンド薄膜の成長と評価（九工大１，産総研２，物材機構３）○片宗優貴１，森大地１，和泉亮１，嶋岡毅紘２，市川公善３，小泉聡３
△ 102	Si基板上ダイヤモンドデバイスに向けた孤立単結晶ダイヤモンドのヘテロ成長（電通大）○萩原大智，上岡弘弥，一色秀夫
△ 103	高配向核形成とαパラメータ変調を用いたSi基板上コアレッセントエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価（電通大）○上岡弘弥，萩原大智，一色秀夫
	１０：２０～１０：４０　休　　憩

オ－ラルセッション２

	１０：４０～１２：００座長　片宗優貴（九工大）
△ 104	マイクロ波液中プラズマ法を利用したダイヤモンドへの異元素ドーピング（東理大院理工１，東理大総合研究院光触媒国際研究センター２，旭ダイヤモンド工業３）○内田晃弘１，富永悠介１，辻内愛３，上塚洋３，鈴木孝宗２，近藤剛史１，渡辺日香里１，四反田功１，板垣昌幸１，藤嶋昭２，寺島千晶２
△ 105	マイクロ波液中プラズマCVDを用いた大面積ダイヤモンド薄膜の製造技術の開発（東理大院理工１，東理大光触媒国際研究センター２，旭ダイヤモンド工業３）○富永悠介１，内田晃弘１，寺島千晶２，辻内愛３，上塚洋３，鈴木孝宗２，近藤剛史１，湯浅真１，藤嶋昭２
△ 106	爆轟法を用いたSiV中心含有ナノダイヤモンドの合成（ダイセル１，長町サイエンスラボ２，熊本大３，大阪大４，京大５）○牧野有都１，間彦智明１，劉明１，吉川太朗１，長町信治２，田中茂３，外本和幸３，芦田昌明４，藤原正則５，水落憲和５，西川正浩１
△ 107	Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成（神奈川大）○関裕平，川﨑壮，星野靖，中田穣治
	１２：００～１３：００　昼休み

オ－ラルセッション３

	１３：００～１４：００座長　宮本良之(産総研)
△ 108	高感度磁気センシングに向けた2次元高密度NVアンサンブルの作製（早大１，量研２，メルボルン大３，筑波大４，材研５）○早坂京祐１，金久京太郎１，立石哲也１，齋藤悠太１，中村洸介１，川勝一斗１，畑雄貴１，谷井孝至１，小野田忍２，Alastair Stacey３，磯谷順一４，河野省三５，川原田洋１
△ 109	置換窒素(P1)と電子線照射によるNVセンター荷電状態比(NV-/NV0)制御（物材機構１，量研２）○真栄力１，宮川仁１，谷口尚１，小野田忍２，石井秀弥２，寺地徳之１
110	高感度を維持した高ダイナミックレンジ量子計測 (京大１，産総研２）○ヘルプシュレプデイビットエルンスト１，加藤宙光２，牧野俊晴２，山崎聡２，水落憲和１
	１４：００～１４：２０　休　　憩

オ－ラルセッション４

	１４：２０～１５：２０座長　牧野俊晴(産総研)
△ 111	生体内リアルタイム蛍光ナノダイヤモンド温度計測（大阪市立大１，ベルリンフンボルト大２，蘇州大３，京大４，慶大５，チャップマン大６）○藤原正澄１，Sun Simo１，Dohms Alexander２，西村勇姿１，首藤健１，竹澤有華１，押味佳裕１，Zhao Li３，Sadzak Nikola２，梅原有美１，手木芳男１，小松直樹４，Benson Oliver２，鹿野豊５,６，中台枝里子１
△ 112	ナノスケール量子計測を用いたラベルフリー脂質二重層相転移計測（JST さきがけ１，慶大量子コンピューティングセンター２，大阪大３，東工大４）○石綿整１，渡辺宙志２，花島慎弥３，岩崎孝之４，波多野睦子４
113	ダイヤモンド薄膜中に埋め込まれたFeナノ粒子の超常磁性ブロッキング（NTT物性科学基礎研究所）○河野慎，平間一行，熊倉一英

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第２日目（１月１３日）
オ－ラルセッション５

	１０：００～１１：００座長　梅沢仁(産総研)
201	水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの移動度の解析（物材機構MANA１，筑波大数理２，物材機構３）○笹間陽介１，蔭浦泰資1，小松克伊1，森山悟士1，井上純一１，井村将隆３，渡邊賢司３，谷口尚３，内橋隆１，山口尚秀1,２
△ 202	トレンチゲート構造を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度(20.2 kA/cm2)及び低オン抵抗化(2.5 mΩ・cm2)の達成（早大理工１，早大材研２）○太田康介１，角田隼１，岩瀧雅幸１，堀川清貴１，天野勝太郎１，新倉直弥１，平岩篤１，川原田洋１,２
△ 203	耐放射線性を強化した水素終端ダイヤモンドMOSFET（RADDFET）の1MGy照射後特性（北大１，産総研２）○山口卓宏１，梅沢仁２，大曲新矢２，小泉均１，金子純一１
	１１：００～１１：２０　休　　憩

オ－ラルセッション６

	１１：２０～１２：００座長　梅沢仁(産総研)
△ 204	ゲート幅を1 mmまで拡張した際の多結晶ダイヤモンドMOSFETに及ぼす直流特性、高周波特性への影響（早大理工）○浅井風雅，荒井雅一，今西祥一朗，久樂顕，鈴木優紀子，平岩　篤，川原田洋
△ 205	ダイヤモンド電解質溶液ゲートFET(SGFET)を用いた海中無線通信の出力特性に対する溶液断面積依存性（早大理工）○佐藤弘隆，寳田晃翠，川口柊斗，蓼沼佳斗，張育豪，川原田洋
	１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラルセッション７

	１３：００～１４：００　座長近藤剛史（東理大）
206	ホウ素ドープSiC薄膜の作製と電気化学特性の評価（慶大理工）○内山和樹，山本崇史，栄長泰明
△ 207	中性子反射率測定による細胞親和性窒素含有DLCの構造評価（東京電機大院１，CROSS中性子科学センター２，順天堂大３）○ファウズィアカマリナ１，宮田登２，福原武志３，平栗健二１，大越康晴１
208	Cu含有DLCの作製と抗菌性評価および滅菌処理による膜耐久性評価（東京電機大１，ナノテック２，慈恵医大３）○加賀洋行１，平塚傑工２，馬目佳信３，大越康晴１，平栗健二１
	１４：００～１４：２０　休　憩

オ－ラルセッション８

	１４：２０～１５：００　座長近藤剛史（東理大）
△ 209	ダイヤモンドナノ粒子による細胞の熱伝導計測（大阪大蛋白質研究所）○外間進悟，仲崇霞，鈴木団，原田慶恵
210	ダイヤモンド電極による硫化水素ガス計測（慶大院理工）○トゥリアナユニタ，栄長泰明

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第３日目（１月１４日）
オ－ラルセッション９

	９：００～１０：２０座長矢野雅大（三菱マテリアル）
301	軟質金属材料へのDLCコーティングを用いた高機能摺動表面の提案（東工大工学院機械系１，小松製作所２，東工大科学技術創成研究院３）○山城崇徳１，松尾誠１，田村幸雄２，山本浩２，平田祐樹３，赤坂大樹１，田中真二３，菊池雅男３，大竹尚登３
302	FCVA法による三次元構造物へのta-C極薄膜コーティング（東工大工学院機械系１，東工大科学技術創成研究院２，東工大工学院３）○川合功太郎１，平田祐樹２，赤坂大樹３，大竹尚登２
303	ポストアニールが窒素添加水素化DLC膜の機械的・光学的・電気的特性に及ぼす影響（弘前大院理工）○長内公哉，室野優太，佐藤聖能，小林康之，遠田義晴，鈴木裕史，中澤日出樹
△ 304	CVD法で合成したホモエピタキシャルダイヤモンドの機械的特性評価（日工大院１，住友電工２，物材機構３，日工大４）○堀川翔平１，阿部航大１，角谷均２，神田久生３，福長脩４，竹内貞雄４
	１０：２０～１０：４０　休　　憩

オ－ラルセッション１０

	１０：４０～１２：００　座長　山田貴壽(産総研)
△ 305	ダイヤモンドpn接合による超高変換効率ベータボルタ電池（物材機構１，産総研２，グルノーブル大３）○嶋岡毅紘１，梅沢仁２，市川公善１，Pernot Julien３，小泉聡１
△ 306	単結晶ダイヤモンドを用いた１ポートSAW共振子（沖縄高専1，堀場エステック２，横河ソリューションサービス３，TCK４）○前田拓哉1，小渡祐樹１，藤井知1，堀田将也２，西里洋２，遠江栄希３，柴育成３，大江隆４，小坂光二４
307	ダイヤモンド微粒子を電界整列させた伝熱シートの熱伝導率評価（九大）○稲葉優文，李赫男，神村尊，中野道彦，末廣純也
308	ダイヤモンデバイスのためのプロセス技術開発（産総研）○渡邊幸志，根本一正，谷島孝，野田周一，居村史人，Mickael Lozach，梅澤仁，クンプアンソマワン，原史朗
	１２：００～１３：００　昼　休　み

オ－ラルセッション１１

	１３：００～１４：２０　座長　町田友樹（東大）
△ 309	CVDグラフェン/HPHT h-BN構造における電気特性の温度依存性評価（産総研1，物材機構２）○沖川侑揮1，山田貴壽１，渡邊賢司２，谷口尚２
310	水酸化カリウム水溶液を用いて作製したカリウム添加多層グラフェンの評価（産総研１，静岡大２，東北大３）○山田貴壽１，畠山一翔１，沖川侑揮１，増澤智昭２，小川修一３，高桑雄二３
311	高空間分解SEM-EDSによるナノ炭素材料の表面状態に関する元素組成分析（産総研）○中島秀朗，森本崇宏，周英，小橋和文，山田健郎，岡崎俊也
312	ダイナミックアニーリングプロセスによるh-BNナノシート合成手法の開発（東工大工学院機械系１，東工大科学技術創成研究院未来産業技術研究所２）○吉里樹人１，平田祐樹２，赤坂大樹１，大竹尚登２

■ 優秀講演賞について

優秀講演賞の選考対象となる発表には講演番号の前に△印が付記されています。

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